MSC017SMA120S

Name: Microchip MSC017SMA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC017SMA120S
Price: 348.65 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

579-MSC017SMA120S

制造商编号：

MSC017SMA120S

制造商：

Microchip Technology

说明：

MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268

数据表:

MSC017SMA120S 数据表 (PDF)

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	¥347.7349	¥3,477.35
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	¥314.4903	¥37,738.84
	¥311.1794	¥84,018.44
510	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	TO-268-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	17.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	357 W
封装:	Tube
商标:	Microchip Technology
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	21 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	16 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间:	49 ns
典型接通延迟时间:	52 ns

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数据表

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSC017SMA120x碳化硅N沟道功率MOSFET

Microchip Technology MSC017SMA120x碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。