MSC025SMA120B4

Name: Microchip MSC025SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC025SMA120B4
Price: 302.54 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

494-MSC025SMA120B4

制造商编号：

MSC025SMA120B4

制造商：

Microchip Technology

说明：

碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4

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	¥315.3152	¥9,459.46
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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	103 A
Rds On-漏源导通电阻:	31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V
Qg-栅极电荷:	232 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	500 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Microchip Technology
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	10 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	35 ns
典型接通延迟时间:	18 ns
单位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。