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MSC025SMA120J

Name: Microchip MSC025SMA120J
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC025SMA120J
Price: 418.56 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

494-MSC025SMA120J

制造商编号：

MSC025SMA120J

制造商：

Microchip Technology

说明：

MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227

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	¥436.1574	¥13,084.72
	¥379.4992	¥37,949.92

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	84 A
Rds On-漏源导通电阻:	31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	321 W
封装:	Tube
商标:	Microchip Technology
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	17 ns
产品:	SiC MOSFET Modules
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	21 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
类型:	Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	41 ns
典型接通延迟时间:	33 ns
单位重量:	63.294 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

碳化硅 (SiC) MOSFET

与传统的硅 (Si) 功率MOSFET相比，Microchip Technology的碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的动态性能和热性能。这些MOSFET具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度以及良好的耐雪崩性能。这些碳化硅MOSFET能够在175°C的高结温下稳定工作。这些MOSFET具有高效率和低开关损耗。这些碳化硅MOSFET无需任何续流二极管。典型应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电及配电。

碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm² 至15J/cm² 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。