MSC035SMA170B4

Name: Microchip MSC035SMA170B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC035SMA170B4
Price: 305.98 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

579-MSC035SMA170B4

制造商编号：

MSC035SMA170B4

制造商：

Microchip Technology

说明：

碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4

在开发工具选择器中查看

数据表:

MSC035SMA170B4 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Microchip Technology MSC035SMA170B4详情

库存量: 312

库存：: 312 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 8 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥345.7574	¥345.76
	¥318.7843	¥9,563.53
	¥277.4263	¥33,291.16

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.7 kV
Id-连续漏极电流:	68 A
Rds On-漏源导通电阻:	35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.25 V
Qg-栅极电荷:	178 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	370 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Microchip Technology
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	17 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	7 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	7 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

MSC035SMA170B4 数据表 (PDF)

DTS

在开发工具选择器中查看

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。