MSC060SMA070B4

Microchip Technology
494-MSC060SMA070B4
MSC060SMA070B4

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
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数量 单价
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¥54.1835 ¥54.18
¥49.9573 ¥1,498.72
¥43.505 ¥5,220.60

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
700 V
39 A
75 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
143 W
Enhancement
商标: Microchip Technology
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 7 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip  (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。

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