MSCSM120AM03CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM03CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-SM120AM03CT6LIAG
Price: 6949.61 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

494-SM120AM03CT6LIAG

制造商编号：

MSCSM120AM03CT6LIAG

制造商：

Microchip Technology

说明：

分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	分立半导体模块
RoHS:
产品:	MOSFET-SiC SBD Modules
类型:	MOSFET / SiC SBD
技术:	SiC
Vf - 正向电压:	1.5 V
Vr - 反向电压 :	1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SP6
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
商标:	Microchip Technology
配置:	Dual
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	67 ns
Id-连续漏极电流:	805 A
Pd-功率耗散:	3.215 kW
产品类型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:	3.1 mOhms
上升时间:	55 ns
工厂包装数量:	1
子类别:	Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	166 ns
典型接通延迟时间:	56 ns
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V

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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSAIR®相臂SiC MOSFET功率模块

Microsemi/Microchip AgileSwitch®相臂SiC (碳化硅) MOSFET功率模块采用SiC MOSFET和SiC二极管，因此兼具两款器件的优势。这些电源模块采用极低电感SP6LI封装，最大杂散电感为3nH。这些SP6LI电源模块有1200V和1700V型号可供选择，外壳温度(T_C)为+80°C。SP6LI封装具有更高功率密度和紧凑外形，因此可减少并联模块数量，从而实现完整的系统，帮助设计人员进一步缩小器件尺寸。