MSCSM120AM042CT6LIAG

Microchip Technology
494-M120AM042CT6LIAG
MSCSM120AM042CT6LIAG

制造商：

说明：
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
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Microchip
产品种类: 分立半导体模块
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RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
SMD/SMT
SP6
- 40 C
+ 125 C
商标: Microchip Technology
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 67 ns
Id-连续漏极电流: 495 A
Pd-功率耗散: 2.031 kW
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 166 ns
典型接通延迟时间: 56 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

AgileSAIR®相臂SiC MOSFET功率模块

Microsemi/Microchip AgileSwitch®相臂SiC (碳化硅) MOSFET功率模块采用SiC MOSFET和SiC二极管，因此兼具两款器件的优势。这些电源模块采用极低电感SP6LI封装，最大杂散电感为3nH。这些SP6LI电源模块有1200V和1700V型号可供选择，外壳温度(TC)为+80°C。SP6LI封装具有更高功率密度和紧凑外形，因此可减少并联模块数量，从而实现完整的系统，帮助设计人员进一步缩小器件尺寸。

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