MSCSM120TAM31CT3AG

Name: Microchip MSCSM120TAM31CT3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120TAM31CT3AG
Price: 2057.07 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

494-120TAM31CT3AG

制造商编号：

MSCSM120TAM31CT3AG

制造商：

Microchip Technology

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	分立半导体模块
RoHS:
产品:	MOSFET-SiC SBD Modules
类型:	3-Phase Bridge
技术:	SiC
Vf - 正向电压:	1.5 V
Vr - 反向电压 :	1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SP3F
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Bulk
商标:	Microchip Technology
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	25 ns
Id-连续漏极电流:	89 A
Pd-功率耗散:	395 W
产品类型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:	31 mOhms
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	1
子类别:	Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V