MSCSM120VR1M31C1AG

Microchip Technology
494-120VR1M31C1AG
MSCSM120VR1M31C1AG

制造商：

说明：
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F

数据表:
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供货情况

库存：

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Microchip
产品种类: 分立半导体模块
交货限制:
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RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.8 V
1.7 kV
- 10 V, + 23 V
Screw Mount
- 40 C
+ 125 C
商标: Microchip Technology
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: Not Available
Id-连续漏极电流: 89 A
Pd-功率耗散: 395 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V
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