MSCSM120XM50CTYZBNMG

Microchip Technology
579-M120XM50CTYZBNMG
MSCSM120XM50CTYZBNMG

制造商：

说明：
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD

数据表:
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库存量: 1

库存：
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生产周期：
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数量 单价
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¥6,083.5923 ¥6,083.59
¥5,911.3012 ¥59,113.01

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
3-Phase Bridge
SiC
1.5 V
- 10 V, + 23 V
Screw Mount
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
- 55 C
+ 175 C
商标: Microchip Technology
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 25 ns
Id-连续漏极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 315 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
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已选择的属性: 0

数据表

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USHTS:
8504409580
JPHTS:
850440090
TARIC:
8504409590
ECCN:
EAR99

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