MSCSM70AM025CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM70AM025CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-SM70AM025CT6LIAG
Price: 4511.24 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

494-SM70AM025CT6LIAG

制造商编号：

MSCSM70AM025CT6LIAG

制造商：

Microchip Technology

说明：

分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	分立半导体模块
RoHS:
产品:	MOSFET-SiC SBD Modules
类型:	MOSFET / SiC SBD
技术:	SiC
Vf - 正向电压:	1.8 V
Vr - 反向电压 :	700 V
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
安装风格:	Screw Mount
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
商标:	Microchip Technology
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	20 ns
Id-连续漏极电流:	689 A
Pd-功率耗散:	1.882 kW
产品类型:	Discrete Semiconductor Modules
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	1
子类别:	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	40 ns

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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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