AFT09MS007NT1

NXP Semiconductors
841-AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
53 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥102.7509 ¥102.75
¥72.8624 ¥728.62
¥62.7941 ¥6,279.41
¥60.0934 ¥30,046.70
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥57.5848 ¥57,584.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
REACH - SVHC:
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15.2 dB
7.3 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: NXP Semiconductors
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
正向跨导 - 最小值: 9.8 S
湿度敏感性: Yes
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 114 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: AFT09MS007N
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
零件号别名: 935318254515
单位重量: 280 mg
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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