QPD1015

Name: Qorvo QPD1015
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1015
Price: 2368.05 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

772-QPD1015

制造商编号：

QPD1015

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	NI-360
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	50 V
Id-连续漏极电流:	2.5 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 2.8 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
Pd-功率耗散:	64 W
商标:	Qorvo
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
开发套件:	QPD1015PCB401
增益:	20 dB
最大工作频率:	3.7 GHz
最小工作频率:	0 Hz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	70 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD1015
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	145 V

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ECCN:: EAR99

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。