QPD2025D

Name: Qorvo QPD2025D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2025D
Price: 71.79 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

772-QPD2025D

制造商编号：

QPD2025D

制造商：

Qorvo

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.25 mm Pwr pHEMT

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:
晶体管类型:	pHEMT
封装:	Reel
商标:	Qorvo
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
产品类型:	RF JFET Transistors
系列:	QPD2025D
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors

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ECCN:: EAR99

QPD2025D 250um分立式GaAs pHEMT裸片

Qorvo QPD2025D 250um分立式GaAs pHEMT裸片采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺开发。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。QPD2025D的工作频率范围为直流至20GHz，P1dB时典型输出功率为24dBm，增益为14dB，1dB压缩时功率附加效率为58%。凭借这种性能水平，该器件非常适合用于高效率应用。该器件采用带氮化硅的保护层，可提供环境稳健性和防刮痕保护。