QPD2080D

Qorvo
772-QPD2080D
QPD2080D

制造商:

说明:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.80mm Pwr pHEMT

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
0

您可以延期订购此产品。

生产周期:
20 周 预计工厂生产时间。
最少: 100   倍数: 100
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴(请按100的倍数订购)
¥136.1876 ¥13,618.76
¥133.3174 ¥26,663.48

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:  
pHEMT
Reel
商标: Qorvo
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
产品类型: RF JFET Transistors
系列: QPD2080D
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT

Qorvo QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT(假晶高电子迁移率晶体管)的工作频率范围为直流至20GHz。通常情况下,QPD2080D的输出功率为29.5dBm(P1dB时),增益为11.5dB,功率附加效率为56%(1dB压缩时)。得益于该性能,QPD2080D适合用于高效率应用。