QPD2160D

Name: Qorvo QPD2160D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2160D
Price: 218.2 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

772-QPD2160D

制造商编号：

QPD2160D

制造商：

Qorvo

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.60mm Pwr pHEMT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:
晶体管类型:	pHEMT
封装:	Reel
商标:	Qorvo
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
产品类型:	RF JFET Transistors
系列:	QPD2160D
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT

Qorvo QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）具有直流至20GHz工作频率。 QPD2160D在P1dB条件下提供32.5dBm输出功率典型值，增益为10.4dB，在1dB压缩下提供63%功率附加效率。得益于该性能，QPD2160D适合用于高效率应用。