MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

RAMXEED
249-85S4MLYPNGAWERE1
MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

制造商：

说明：
F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)

数据表:
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RAMXEED
产品种类: F-RAM
交货限制:
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RoHS:  
4 Mbit
SPI
50 MHz
512 k x 8
DFN-8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 125 C
Reel
商标: RAMXEED
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: JP
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
工作电源电压: 1.8 V
产品类型: FRAM
工厂包装数量: 1500
子类别: Memory & Data Storage
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1

FRAM（铁电随机存取存储器）

Fujitsu Semiconductor FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等特点。这些特性使FRAM非常适合需要连续记录数据、实时记录三维位置信息，并且在突然断电时需要进行数据保护的应用。

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

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