RS6E122BGTB1

ROHM Semiconductor
755-RS6E122BGTB1
RS6E122BGTB1

制造商：

说明：
MOSFET HSOP8 N-CH 30V 155A

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 2,250

库存：
2,250
可立即发货
在途量:
2,500
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.5718 ¥23.57
¥15.3002 ¥153.00
¥10.5881 ¥1,058.81
¥8.6897 ¥4,344.85
¥8.3507 ¥8,350.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥8.0682 ¥20,170.50

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
HSOP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
155 A
2.16 mOhms
20 V
2.5 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
89 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 40 ns
正向跨导 - 最小值: 55 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

小信号双通道MOSFET

ROHM Semiconductor小信号双通道MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性。 此系列MOSFET符合RoHS标准，采用无铅电镀工艺。该双通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。此系列MOSFET适用于电机驱动器和开关等应用。

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