SCT3060AW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT3060AW7TL
SCT3060AW7TL

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L

数据表:
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库存量: 1,757

库存：
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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥130.6958 ¥130.70
¥100.7508 ¥1,007.51
¥98.1066 ¥9,810.66
¥98.0162 ¥49,008.10
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥97.1122 ¥97,112.20

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
78 mOhms
- 4 V, + 22 V
5.6 V
58 nC
+ 175 C
159 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TH
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 4.9 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: SCT3060AW7
单位重量: 1.600 g
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET采用专有的沟槽式栅极结构，与平面型SiC MOSFET相比，导通电阻降低50%，输入电容降低35%。MOSFET包含一个额外的引脚，可分离驱动器和电源引脚，消除电感元件在减少Vgs方面的影响，确保更快的开关速度。ROHM Semiconductor沟槽型MOSFET具有高电压电阻、低导通电阻、快速开关速度、易于驱动和易于并联等特性。

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