71V416S12BEG

Name: Renesas Electronics 71V416S12BEG
Brand: Renesas Electronics
SKU: 972-71V416S12BEG
Price: 68.37 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

972-71V416S12BEG

制造商编号：

71V416S12BEG

制造商：

Renesas Electronics

说明：

静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

数据表:

71V416S12BEG 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥77.2581	¥19,314.53
	¥75.597	¥37,798.50
	¥74.1167	¥74,116.70
2,500	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	4 Mbit
组织:	256 k x 16
访问时间:	12 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	3 V
电源电流—最大值:	180 mA
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	CABGA-48
封装:	Tray
商标:	Renesas Electronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW, CN
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	71V416S12
工厂包装数量:	250
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Asynchronous
零件号别名:	IDT71V416S12BEG 71V416

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USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
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异步SRAM

Renesas Electronics异步SRAM基于高性能、高可靠性CMOS技术。该技术和创新电路设计技术为高速异步SRAM存储器需求提供了经济高效的解决方案。全静态异步电路无需时钟或刷新即可工作。Renesas提供异步SRAM，采用符合RoHS 6/6标准的（绿色）封装，采用行业标准的封装选项。