TP65H030G4PWS

Renesas Electronics
227-TP65H030G4PWS
TP65H030G4PWS

制造商：

说明：
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

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Renesas Electronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
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RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55.7 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
SuperGaN
商标: Renesas Electronics
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: JP
原产国: CN
下降时间: 8 ns
封装: Tube
产品: FETs
产品类型: GaN FETs
上升时间: 6.8 ns
系列: Gen IV SuperGaN
工厂包装数量: 960
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: GaN FET
典型关闭延迟时间: 89.2 ns
典型接通延迟时间: 40.8 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ氮化镓 (GaN) FET提供有TOLT、TO247和TOLL封装形式。这些GaN FET使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台，该平台将最先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，使得该平台性能优异、采用容易且可靠，成为标准驱动产品。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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