MASTERGAN6TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN6TR
MASTERGAN6TR

制造商：

说明：
栅极驱动器 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver
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STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
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RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-35
1 Output
9 V
18 V
4 ns
4 ns
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN6
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: SG
开发套件: EVLMG6
最大关闭延迟时间: 70 ns
最大开启延迟时间: 70 ns
空闲时间—最大值: 70 ns
Pd-功率耗散: 20 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 105 ns
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 194 mg
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数据表

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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