PD55025S-E

STMicroelectronics
511-PD55025S-E
PD55025S-E

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 143

库存：
143 可立即发货
生产周期：
23 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥228.4634 ¥228.46
¥172.6301 ¥1,726.30
¥172.551 ¥17,255.10

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
7 A
40 V
1 GHz
14.5 dB
25 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Tube
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 79 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD55025-E
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
单位重量: 3 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。