PD57060-E

STMicroelectronics
511-PD57060-E
PD57060-E

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
7 A
65 V
1 GHz
14.3 dB
60 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 79 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD57060S-E
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
单位重量: 3 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

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