PD85035-E

STMicroelectronics
511-PD85035-E
PD85035-E

制造商:

说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans

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库存量: 503

库存:
503 可立即发货
生产周期:
23 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥273.46 ¥273.46
¥228.8702 ¥2,288.70
¥200.2586 ¥20,025.86
¥200.01 ¥80,004.00
1,200 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
8 A
40 V
870 MHz
14.9 dB
35 W
- 65 C
+ 165 C
SMD/SMT
PowerSO-12
Tube
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 95 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD85035-E
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 500 mV, + 15 V
单位重量: 1.140 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99