PD85035STR-E

STMicroelectronics
511-PD85035STR-E
PD85035STR-E

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
8 A
40 V
1 GHz
14.9 dB
35 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Reel
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: Not Available
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 95 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD85035-E
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 15 V
单位重量: 3 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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