RF2L16180CF2

STMicroelectronics
511-RF2L16180CF2
RF2L16180CF2

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
65 V
1 Ohms
1.47 GHz
17.5 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B2-3
Reel
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
湿度敏感性: Yes
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 120
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V to + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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