RF3L05400CB4
511-RF3L05400CB4
RF3L05400CB4
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
供货情况
-
库存：
-
无库存出现意外错误。请稍候重试。
-
生产周期：
-
52 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
此产品免运费
定价 (含13% 增值税)
| 数量 | 单价 |
总价
|
|---|---|---|
| 整卷卷轴（请按100的倍数订购） | ||
| ¥1,147.7636 | ¥114,776.36 | |
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
