SCT018H65G3-7

STMicroelectronics
511-SCT018H65G3-7
SCT018H65G3-7

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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产品种类: 碳化硅MOSFET
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RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
-10 V, 22 V
4.2 V
79.4 nC
- 55 C
+ 175 C
385 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 25 ns
封装: Reel
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

650碳化硅 (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (RDS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。

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