SCT018W65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT018W65G3AG
SCT018W65G3AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
完成您的设计

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
交货限制:
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
-10 V, 22 V
4.2 V
76 nC
- 55 C
+ 200 C
398 W
Enhancement
AEC-Q100
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 17 ns
封装: Tube
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。