SCT019HU120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT019HU120G3AG
SCT019HU120G3AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
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¥166.0987 ¥166.10
¥136.6509 ¥1,366.51
¥118.198 ¥11,819.80
整卷卷轴（请按600的倍数订购）
¥104.4685 ¥62,681.10

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
AEC-Q100
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: JP
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

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