SCT025H120G3-7

Name: STMicroelectronics SCT025H120G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025H120G3-7
Price: 122.9 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-SCT025H120G3-7

制造商编号：

SCT025H120G3-7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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数据表:

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	¥138.877	¥138.88
	¥107.4517	¥1,074.52
	¥92.9764	¥9,297.64
	¥92.886	¥46,443.00
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥82.1397	¥82,139.70

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	55 A
Rds On-漏源导通电阻:	37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	73 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	Not Available
下降时间:	25 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	27 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	48 ns
典型接通延迟时间:	23 ns