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SCT027HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027HU65G3AG
Price: 98.97 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-SCT027HU65G3AG

制造商编号：

SCT027HU65G3AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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数据表:

SCT027HU65G3AG 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥111.8361	¥111.84
	¥83.4618	¥834.62
	¥72.207	¥7,220.70
整卷卷轴（请按600的倍数订购）
	¥63.8563	¥38,313.78

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
资格:	AEC-Q100
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	JP
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors

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数据表

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。