SCT070H120G3-7

Name: STMicroelectronics SCT070H120G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070H120G3-7
Price: 42.38 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-SCT070H120G3-7

制造商编号：

SCT070H120G3-7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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数据表:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	87 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	223 W
通道模式:	Enhancement
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	IT
下降时间:	9.9 ns
封装:	Reel
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	26.6 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	17.6 ns
典型接通延迟时间:	18.7 ns