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SCT070H120G3AG

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Mouser编号：

511-SCT070H120G3AG

制造商编号：

SCT070H120G3AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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数据表:

SCT070H120G3AG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	87 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 18 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.2 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	223 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	IT
下降时间:	9.9 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	26.6 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	17.6 ns
典型接通延迟时间:	18.7 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC功率MOSFET

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC（碳化硅）功率MOSFET导通电阻极小，开关性能非常出色，几乎不受温度影响，因为宽带隙材料具有先进、创新的特性。SCTW70N120G2V还具有非常快速、坚固的内置体二极管以及极低的栅极电荷和输入能力。额定温度高达200°C，因此改进了电力电子系统的热设计。