您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

SCT070HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT070HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070HU120G3AG
Price: 97.58 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-SCT070HU120G3AG

制造商编号：

SCT070HU120G3AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

完成您的设计

数据表:

SCT070HU120G3AG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics SCT070HU120G3AG详情

库存量: 3

库存：: 3 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 22 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥110.2654	¥110.27
	¥76.0942	¥760.94
	¥68.4102	¥6,841.02
整卷卷轴（请按600的倍数订购）
	¥65.3479	¥39,208.74

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HU3PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	87 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 18 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.2 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	223 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	JP
扩散国家:	Not Available
原产国:	JP
下降时间:	9.9 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	26.6 ns
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	17.6 ns
典型接通延迟时间:	18.7 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SCT070HU120G3AG 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC功率MOSFET

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC（碳化硅）功率MOSFET导通电阻极小，开关性能非常出色，几乎不受温度影响，因为宽带隙材料具有先进、创新的特性。SCTW70N120G2V还具有非常快速、坚固的内置体二极管以及极低的栅极电荷和输入能力。额定温度高达200°C，因此改进了电力电子系统的热设计。

汽车级碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。