SCT070W120G3-4

STMicroelectronics
511-SCT070W120G3-4
SCT070W120G3-4

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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周 预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥90.6599 ¥90.66
¥54.014 ¥540.14
¥49.0533 ¥4,905.33

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
1.2 kV
30 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
41 nC
- 55 C
+ 200 C
236 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: IT
下降时间: 17 ns
封装: Tube
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 4.8 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 9.5 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC功率MOSFET

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC（碳化硅）功率MOSFET导通电阻极小，开关性能非常出色，几乎不受温度影响，因为宽带隙材料具有先进、创新的特性。SCTW70N120G2V还具有非常快速、坚固的内置体二极管以及极低的栅极电荷和输入能力。额定温度高达200°C，因此改进了电力电子系统的热设计。

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