SCTHC250N120G3AG

Name: STMicroelectronics SCTHC250N120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTHC250N120G3AG
Price: 552.07 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-SCTHC250N120G3AG

制造商编号：

SCTHC250N120G3AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	STPAK-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	239 A
Rds On-漏源导通电阻:	10.5 nC
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.4 V
Qg-栅极电荷:	304 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 200 C
Pd-功率耗散:	994 W
资格:	AEC-Q100
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	IT
封装:	Tube
产品:	MOSFET
产品类型:	SiC MOSFETS
工厂包装数量:	1
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	Power MOSFET