SCTHCT250N12G3AG

STMicroelectronics
511-SCTHCT250N12G3AG
SCTHCT250N12G3AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
交货限制:
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RoHS:  
Through Hole
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
239 A
10.5 mOhms
-10 V, 22 V
4.4 V
304 nC
- 55 C
+ 200 C
994 W
Enhancement
AEC-Q100
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
封装: Tray
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 448
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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