SCTL90N65G2V

STMicroelectronics
511-SCTL90N65G2V
SCTL90N65G2V

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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库存量: 1,597

库存：
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数量大于1597的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥241.1985 ¥241.20
¥184.4612 ¥1,844.61
¥184.0431 ¥18,404.31
¥183.964 ¥183,964.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥172.3024 ¥516,907.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
18 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
157 nC
- 55 C
+ 175 C
935 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 16 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 38 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 180 mg
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

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