SCTW100N65G2AG

STMicroelectronics
511-SCTW100N65G2AG
SCTW100N65G2AG

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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库存量: 281

库存:
281 可立即发货
生产周期:
17 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于281的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥285.2911 ¥285.29
¥212.7451 ¥2,127.45

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
100 A
69 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
162 nC
- 55 C
+ 200 C
420 W
Enhancement
AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
系列: SCTW100N65G2AG
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
单位重量: 4.500 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99