SCTW90N65G2V

STMicroelectronics
511-SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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库存量: 45

库存：
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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥189.5801 ¥189.58
¥176.2687 ¥1,762.69
¥167.3304 ¥16,733.04
600 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
90 A
25 mOhms
- 10 V, + 22 V
1.9 V
157 nC
- 55 C
+ 200 C
390 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 16 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 38 ns
系列: SCTW90N
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 4.500 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650碳化硅 (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (RDS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。

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