SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics
511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

ECAD模型:
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库存量: 101

库存:
101 可立即发货
生产周期:
22 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于101的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥240.8708 ¥240.87
¥182.0543 ¥1,820.54
¥174.2799 ¥17,427.99
600 报价

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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
119 A
24 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
157 nC
- 55 C
+ 200 C
565 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 16 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 38 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 6.080 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99