SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 44.07 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-SGT080R70ILB

制造商编号：

SGT080R70ILB

制造商：

STMicroelectronics

说明：

GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥49.7991	¥49.80
	¥36.725	¥367.25
	¥29.7755	¥2,977.55
	¥28.7811	¥14,390.55
	¥27.798	¥27,798.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥26.4646	¥79,393.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-8
Vds-漏源极击穿电压:	700 V
Id-连续漏极电流:	29 A
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V, + 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	6.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	Not Available
下降时间:	4 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	FET
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	4 ns
系列:	SGT
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	GaN
类型:	PowerGaN Transistor
典型关闭延迟时间:	5 ns
典型接通延迟时间:	3 ns
单位重量:	154 mg

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已选择的属性: 0

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管是一款增强型晶体管，专为高效电源转换应用而设计。STMicroelectronics SGT080R70ILB的漏极-源极电压额定值为700V，典型导通电阻仅为80mΩ，它利用氮化镓 (GaN) 技术的卓越开关性能，最大限度地减少了导通损耗和开关损耗。该晶体管采用紧凑型PowerFLAT 8x8 HV封装，支持高频运行，非常适合用于谐振转换器、功率因数校正 (PFC) 级和直流-直流转换器。SGT080R70ILB具备低栅极电荷与低输出电容特性，可实现更快的转换和更少的能量损耗，因此非常适用于消费类电子产品、工业系统及数据中心等高要求应用。

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN晶体管是一款高性能增强模式（常关型）GaN设备，旨在为要求苛刻的功率转换应用提供极快的开关速度、低导通损耗和大功率密度。这些晶体管利用氮化镓的宽禁带优势，实现了极低的电容、最小栅极电荷和零反向恢复电荷，从而实现了比传统硅功率开关更优异的效率。