STB120N4F6

STMicroelectronics
511-STB120N4F6
STB120N4F6

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
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¥-.--
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¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥21.4248 ¥21.42
¥13.8086 ¥138.09
¥9.5146 ¥951.46
¥7.6049 ¥3,802.45
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥7.0851 ¥7,085.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: MOSFETs
系列: STB120N4F6
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 4 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET

STMicroelectronics符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET采用ST专有的沟槽式低压技术，实现了非常低的导通损耗。这些功率MOSFET最大限度地降低了电气驱动器的通常能耗，从而提高了效率，使其适用于各种应用。这些器件采用行业标准TO-252和TO-263 SMD封装，RDS(on)范围为3mΩ至12.5mΩ，在大多数低压汽车应用中均具有出色性能。该系列产品包含标准和逻辑电平阈值。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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