STD18N55M5

STMicroelectronics
511-STD18N55M5
STD18N55M5

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STD18N55M5详情

库存量: 2,318

库存：
2,318 可立即发货
生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥31.188 ¥31.19
¥20.4304 ¥204.30
¥14.3058 ¥1,430.58
¥12.656 ¥6,328.00
¥12.4074 ¥12,407.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥11.8311 ¥29,577.75
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
550 V
13 A
240 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: MOSFETs
系列: Mdmesh M5
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 330 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

STM MDmeshV Power MOSFETs - Surface Mount


N-通道 MDmesh™ V 功率 MOSFET

意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 依赖 MDmesh™ V 与基于创新专有垂直工艺的开创性功率 MOSFET 技术，并结合了意法半导体著名的 PowerMESH™ 水平布局结构。意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻，在硅基功率 MOSFET 中无以匹敌，使其特别适合需要出色功率密度和超高效率的应用。
了解更多

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。