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STD80N4F6

Name: STMicroelectronics STD80N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N4F6
Price: 16.62 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STD80N4F6

制造商编号：

STD80N4F6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

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数据表:

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¥-.--

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¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥18.7806	¥18.78
	¥12.0797	¥120.80
	¥8.1699	¥816.99
	¥6.5314	¥3,265.70
	¥6.2037	¥6,203.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥5.9099	¥14,774.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	36 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	70 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q100
商标名:	STripFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	11.9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7.6 ns
系列:	STD80N4F6
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	46.1 ns
典型接通延迟时间:	10.5 ns
单位重量:	330 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

STD80N4F6 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术，可实现高效率和低R_DS(on) ，满足各种汽车和工业开关应用的需求，如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET

STMicroelectronics符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET采用ST专有的沟槽式低压技术，实现了非常低的导通损耗。这些功率MOSFET最大限度地降低了电气驱动器的通常能耗，从而提高了效率，使其适用于各种应用。这些器件采用行业标准TO-252和TO-263 SMD封装，R_DS(on)范围为3mΩ至12.5mΩ，在大多数低压汽车应用中均具有出色性能。该系列产品包含标准和逻辑电平阈值。

STMicroelectronics STripFET VI Power MOSFETs

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 R_DS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 R_DS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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