STDRIVEG212QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG212QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG212QTR
Price: 28.26 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STDRIVEG212QTR

制造商编号：

STDRIVEG212QTR

制造商：

STMicroelectronics

说明：

栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥31.9338	¥31.93
	¥28.702	¥287.02
	¥24.5662	¥614.16
	¥22.0802	¥2,208.02
	¥18.4416	¥4,610.40
	¥17.7862	¥8,893.10
	¥14.8934	¥14,893.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥12.5769	¥37,730.70

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Gate Driver
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QFN-18
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	3 Output
输出电流:	1.8 A
电源电压-最小:	10.3 V
电源电压-最大:	18 V
配置:	Inverting, Non-Inverting
上升时间:	22 ns
下降时间:	13 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TH
开发套件:	EVLSTDRIVEG212
最大关闭延迟时间:	65 ns
最大开启延迟时间:	65 ns
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	900 uA
输出电压:	220 V
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	65 ns
Rds On-漏源导通电阻:	4.8 Ohms
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	3000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	GaN
商标名:	STDRIVE

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ECCN:: EAR99

STDRIVEG212 220 V半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG212是一款220V高速半桥栅极驱动器，专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。根据设计，其高侧驱动器部分支持高达220V的电压轨，且可由集成的自举二极管轻松供电。STDRIVEG212具备高电流能力、短传播延迟及优异的延迟匹配，同时集成了LDO稳压器，使其成为驱动高速GaN的理想选择。