STDRIVEG600TR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600TR
STDRIVEG600TR

制造商：

说明：
栅极驱动器 High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STDRIVEG600TR详情

供货情况

库存：
0

您可以延期订购此产品。

生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥33.6627 ¥33.66
¥25.4815 ¥254.82
¥23.4136 ¥585.34
¥21.1762 ¥2,117.62
¥20.1027 ¥5,025.68
¥19.436 ¥9,718.00
¥18.9388 ¥18,938.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥18.2834 ¥45,708.50
¥18.1139 ¥90,569.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
STDRIVEG600
包装:
Tube
供货情况:
库存量
单价:
¥43.4259
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW
逻辑类型: CMOS, TTL
湿度敏感性: Yes
输出电压: 520 V
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG600半桥栅极驱动器是一款单芯片半桥栅极驱动器，用于GaN（氮化镓）eHEMT（增强模式高电子迁移率晶体管）或N沟道功率MOSFET。STDRIVEG600的高侧设计用于承受高达600V的电压，适合用于总线电压高达500V的设计。该器件具有大电流能力、短传播延迟以及低至5V的工作电源电压，因此非常适合用于驱动高速GaN和硅FET。 

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。