STF12N60M2

STMicroelectronics
511-STF12N60M2
STF12N60M2

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥15.9669 ¥15.97
¥7.6727 ¥76.73
¥6.8365 ¥683.65
¥5.4466 ¥2,723.30
¥4.4522 ¥4,452.20

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
450 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 18 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9.2 ns
系列: STF12N60M2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 9.2 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh™ II 功率 MOSFET 将垂直结构与 STM 带状布局相结合，产生了业界最低的导通电阻和栅极电荷，使其能适应要求最高的高效转换器。这些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全绝缘，采用薄型封装，加长了从引脚到散热盘的爬电路径。它们经 100% 雪崩测试，输入电容、栅极电荷及栅极输入电阻低。
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